Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Datasheet FDME410NZT - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 7 А, MFET1.6X1.6

Fairchild FDME410NZT

Наименование модели: FDME410NZT

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 7 А, MFET1.6X1.6

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDME410NZT N-Channel PowerTrench® MOSFET
November 2011
FDME410NZT
N-Channel PowerTrench® MOSFET
20 V, 7 A, 26 m Features

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 7 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.019 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 6
  • Корпус транзистора: MicroFET1.6x1.6
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 2.1 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

    MOSFET N-CH 20V 7A 6-MICROFET
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанON SemiconductorFDME410NZT9 руб.
    5 элементTexas InstrumentsL293NEG4315 руб.
    TradeElectronicsFairchildFDME410NZTпо запросу
    КремнийFairchildFDME410NZTпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »

Рекомендуемые материалы по теме:

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.

Срезы ↓
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Цена: от 3 168 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс

Рейтинг@Mail.ru