Datasheet BUK761R3-30E - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK761R3-30E
Купить BUK761R3-30E на РадиоЛоцман.Цены — от 139 до 350 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Compliant No SVHC 3 V TO-263 3 3 V 357 W 175 °C | |||
| BUK761R3-30E.118 NXP | 139 ₽ | ||
| BUK761R3-30E,118 NXP | 328 ₽ | ||
| BUK761R3-30E118 NXP | по запросу | ||
| BUK761R3-30E,118 NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, D2PAK
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
D2
PA K
BUK761R3-30E
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.
3 -- 16 May 2012 Product data sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.00105 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 357 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
Варианты написания:
BUK761R330E, BUK761R3 30E
