LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet BUK762R4-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 120 А, D2PAK — Даташит

NXP BUK762R4-60E

Наименование модели: BUK762R4-60E

12 предложений от 9 поставщиков
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK762R4-60E.118
Nexperia
91 ₽
ЧипСити
Россия
BUK762R4-60E,118
NXP
164 ₽
ChipWorker
Весь мир
BUK762R4-60E,118
NXP
167 ₽
Utmel
Весь мир
BUK762R4-60E,118
Nexperia
от 2 992 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 120 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
BUK762R4-60E
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.

2 -- 16 May 2012 Product data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0019 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 357 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

Варианты написания:

BUK762R460E, BUK762R4 60E

На английском языке: Datasheet BUK762R4-60E - NXP MOSFET, N CH, 60 V, 120 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России