Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet BUK765R0-100E - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 120 А, D2PAK

NXP BUK765R0-100E

Наименование модели: BUK765R0-100E

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 120 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
BUK765R0-100E
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev. 2 -- 16 May 2012 Product data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0039 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 357 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet BUK765R0-100E - NXP MOSFET, N CH, 100 V, 120 A, D2PAK

    ПоставщикНаименованиеЦена
    ЭлитанBUK765R0-100E,118101 руб.
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс