Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet BUK964R2-80E - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 80 В, 120 А, D2PAK

NXP BUK964R2-80E

Наименование модели: BUK964R2-80E

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 В, 120 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
BUK964R2-80E
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev. 2 -- 16 May 2012 Product data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 80 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0032 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 357 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet BUK964R2-80E - NXP MOSFET, N CH, 80 V, 120 A, D2PAK

    ПоставщикНаименованиеЦена
    ЭлитанBUK964R2-80E,118101 руб.
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс