Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Datasheet BUK965R8-100E - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 120 А, D2PAK

NXP BUK965R8-100E

Наименование модели: BUK965R8-100E

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 120 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
BUK965R8-100E
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev. 2 -- 16 May 2012 Product data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.00445 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 357 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

Варианты написания:

BUK965R8100E, BUK965R8 100E

На английском языке: Datasheet BUK965R8-100E - NXP MOSFET, N CH, 100 V, 120 A, D2PAK

    CARD RACK VME 9UX400MM ASSEMBLED
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPBUK965R8-100E115 руб.
    5 элементCCA400-9Uпо запросу
    Океан ЭлектроникиNXPBUK965R8-100E,118по запросу
    ЭФОBUK965R8-100E,118по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Цена: от 3 168 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс

Рейтинг@Mail.ru