Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet NGB8207BNT4G - ON Semiconductor Даташит IGBT, IGNITION, N-CH, 365 В, 20 А, D2PAK — Даташит

ON Semiconductor NGB8207BNT4G

Наименование модели: NGB8207BNT4G

17 предложений от 11 поставщиков
Ignition IGBT, N-Channel, 20 A, 365 V, D2PAK 2 LEAD, 800-REEL
Akcel
Весь мир
NGB8207BNT4G
ON Semiconductor
от 59 ₽
Utmel
Весь мир
NGB8207BNT4G
ON Semiconductor
от 59 ₽
AiPCBA
Весь мир
NGB8207BNT4G
ON Semiconductor
148 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
NGB8207BNT4G
ON Semiconductor
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, IGNITION, N-CH, 365 В, 20 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGB8207N, NGB8207BN Ignition IGBT
20 A, 365 V, N-Channel D2PAK
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Overvoltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications.

Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.
Features
http://onsemi.com

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 365 В
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.5 В
  • DC Collector Current: 20 А
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 165 Вт
  • Тип транзистора: IGBT
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet NGB8207BNT4G - ON Semiconductor IGBT, IGNITION, N-CH, 365 V, 20 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России