Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срезы:Электронные компоненты
Силовая электроника

Datasheet NGB8207BNT4G - ON Semiconductor Даташит IGBT, IGNITION, N-CH, 365 В, 20 А, D2PAK

ON Semiconductor NGB8207BNT4G

Наименование модели: NGB8207BNT4G

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, IGNITION, N-CH, 365 В, 20 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGB8207N, NGB8207BN Ignition IGBT
20 A, 365 V, N-Channel D2PAK
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Overvoltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.
Features
http://onsemi.com

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 365 В
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.5 В
  • DC Collector Current: 20 А
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 165 Вт
  • Тип транзистора: IGBT
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet NGB8207BNT4G - ON Semiconductor IGBT, IGNITION, N-CH, 365 V, 20 A, D2PAK

    NGB8207BNT4G на РадиоЛоцман.Цены — от 56,50 до 186,62 руб.
    Тип корпуса: D2PAK-3 Производитель: ON Semiconductor Corporation IGBT транзистор
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ТерраэлектроникаON SemiconductorNGB8207BNT4G56,50 руб.
    ДКО ЭлектронщикON SemiconductorNGB8207BNT4Gот 56,50 руб.
    ИнтерияON SemiconductorNGB8207BNT4G87,72 руб.
    КимON SemiconductorNGB8207BNT4G150,00 руб.
    ДессиON SemiconductorIGBT транзистор NGB8207BNT4G186,62 руб.
    Все 12 предложений от 8 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс