Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срезы:Электронные компоненты
Силовая электроника

Datasheet NGB8207BNT4G - ON Semiconductor Даташит IGBT, IGNITION, N-CH, 365 В, 20 А, D2PAK

ON Semiconductor NGB8207BNT4G

Наименование модели: NGB8207BNT4G

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, IGNITION, N-CH, 365 В, 20 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGB8207N, NGB8207BN Ignition IGBT
20 A, 365 V, N-Channel D2PAK
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Overvoltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.
Features
http://onsemi.com

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 365 В
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.5 В
  • DC Collector Current: 20 А
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 165 Вт
  • Тип транзистора: IGBT
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet NGB8207BNT4G - ON Semiconductor IGBT, IGNITION, N-CH, 365 V, 20 A, D2PAK

    Тип корпуса: D2PAK-3 Производитель: ON Semiconductor Corporation IGBT транзистор
    ПоставщикПроизводительЦена
    5 элементON Semiconductorот 16 руб.
    ИнтерияON Semiconductor55 руб.
    ТерраэлектроникаON Semiconductorот 62 руб.
    ЭФОON Semiconductorпо запросу
    КремнийON Semiconductorпо запросу
    Все 16 предложений от 10 поставщиков »
Срезы ↓
USB осциллографы
Цена: от 52 $ (3 196 руб.)
Бесплатная доставка: Весь мир
Журнал РадиоЛоцман - последний номер
Измеритель-регистратор температуры
Цена: от 3 619 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс