Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срезы:Электронные компоненты
Силовая электроника

Datasheet NGD18N40ACLBT4G - ON Semiconductor Даташит IGBT, IGNITION, N-CH, 400 В, 18 А, DPAK

ON Semiconductor NGD18N40ACLBT4G

Наименование модели: NGD18N40ACLBT4G

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, IGNITION, N-CH, 400 В, 18 А, DPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGD18N40CLB, NGD18N40ACLB Ignition IGBT, 18 A, 400 V
N-Channel DPAK
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.
Features http://onsemi.com
· · · · · · · · · · · ·

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400 В
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.8 В
  • DC Collector Current: 18 А
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 115 Вт
  • Тип транзистора: IGBT
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet NGD18N40ACLBT4G - ON Semiconductor IGBT, IGNITION, N-CH, 400 V, 18 A, DPAK

    Ignition IGBT, N-Channel, 18 A, 400 V
    Цены на NGD18N40ACLBT4G
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанON Semiconductor156 руб.
    ТерраэлектроникаON Semiconductorот 189 руб.
    ДКО ЭлектронщикON Semiconductorпо запросу
    МосЧипON Semiconductorпо запросу
    КремнийON Semiconductorпо запросу
    Все 8 предложений от 6 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс