HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet NGTB15N120IHLWG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 15 А, TO247 — Даташит

ON Semiconductor NGTB15N120IHLWG

Наименование модели: NGTB15N120IHLWG

20 предложений от 13 поставщиков
ON SEMICONDUCTOR NGTB15N120IHLWG IGBT Single Transistor, 30 A, 1.8 V, 156 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
Akcel
Весь мир
NGTB15N120IHLWG
ON Semiconductor
от 47 ₽
NGTB15N120IHLWG
ON Semiconductor
50 ₽
AliExpress
Весь мир
Новинка, оригинальный NGTB15N120IHLWG 15N120IHL 15N120IHR 15N120 или 20N120IHL или 25N120IHL или 30N120IHL TO-247 15A 1200V IGBT
54 ₽
NGTB15N120IHLWG
ON Semiconductor
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, 1200 В, 15 А, TO247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGTB15N120IHLWG IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on-state voltage and minimal switching loss.

The IGBT is well suited for resonant or soft switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
Features
http://onsemi.com
· · · · ·

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.8 В
  • DC Collector Current: 15 А
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 250 Вт
  • Тип транзистора: IGBT
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet NGTB15N120IHLWG - ON Semiconductor IGBT, 1200 V, 15 A, TO247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России