Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срезы:Электронные компоненты
Силовая электроника

Datasheet NGTB15N120IHLWG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 15 А, TO247

ON Semiconductor NGTB15N120IHLWG

Наименование модели: NGTB15N120IHLWG

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, 1200 В, 15 А, TO247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGTB15N120IHLWG IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on-state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for resonant or soft switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
Features
http://onsemi.com
· · · · ·

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.8 В
  • DC Collector Current: 15 А
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 250 Вт
  • Тип транзистора: IGBT
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet NGTB15N120IHLWG - ON Semiconductor IGBT, 1200 V, 15 A, TO247

    NGTB15N120IHLWG на РадиоЛоцман.Цены — от 68,40 до 206,59 руб.
    Исполнение: TO-247-3. IGBT 1200V 15A FS1 Induction Heating IGBT транзистор NGTB15N120IHLWG. Описание в формате PDF
    Цены на NGTB15N120IHLWG
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанON Semiconductor68,40 руб.
    ICdaromON Semiconductorот 91,08 руб.
    ДКО ЭлектронщикON Semiconductorот 103,00 руб.
    ТерраэлектроникаON Semiconductorот 103,00 руб.
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургON Semiconductorпо запросу
    Все 15 предложений от 9 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс