Datasheet NGTB15N120IHLWG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 15 А, TO247 — Даташит
Наименование модели: NGTB15N120IHLWG
Купить NGTB15N120IHLWG на РадиоЛоцман.Цены — от 47 до 352 ₽ 20 предложений от 13 поставщиков ON SEMICONDUCTOR NGTB15N120IHLWG IGBT Single Transistor, 30 A, 1.8 V, 156 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | |||
NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor | от 47 ₽ | ||
NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor | 50 ₽ | ||
Новинка, оригинальный NGTB15N120IHLWG 15N120IHL 15N120IHR 15N120 или 20N120IHL или 25N120IHL или 30N120IHL TO-247 15A 1200V IGBT | 54 ₽ | ||
NGTB15N120IHLWG ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: IGBT, 1200 В, 15 А, TO247
Краткое содержание документа:
NGTB15N120IHLWG IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on-state voltage and minimal switching loss.
The IGBT is well suited for resonant or soft switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
Features
http://onsemi.com
· · · · ·
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.8 В
- DC Collector Current: 15 А
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-247
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 250 Вт
- Тип транзистора: IGBT
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)