Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срезы:Электронные компоненты
Силовая электроника

Datasheet NGTB25N120IHLWG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 25 А, TO247

ON Semiconductor NGTB25N120IHLWG

Наименование модели: NGTB25N120IHLWG

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, 1200 В, 25 А, TO247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGTB25N120IHLWG IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on-state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for resonant or soft switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
Features
http://onsemi.com
· · · · ·

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.85 В
  • DC Collector Current: 25 А
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 250 Вт
  • Тип транзистора: IGBT
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet NGTB25N120IHLWG - ON Semiconductor IGBT, 1200 V, 25 A, TO247

    NGTB25N120IHLWG на РадиоЛоцман.Цены — от 80,50 до 171,19 руб.
    Исполнение: TO-247-3. IGBT 1200V 25A FS1 Induction Heating IGBT транзистор NGTB25N120IHLWG. Описание в формате PDF
    Цены на NGTB25N120IHLWG
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ТерраэлектроникаON SemiconductorNGTB25N120IHLWGот 80,50 руб.
    ЭлитанON SemiconductorNGTB25N120IHLWG84,60 руб.
    ИнтерияON SemiconductorNGTB25N120IHLWG94,34 руб.
    ДессиON SemiconductorIGBT транзистор NGTB25N120IHLWG171,19 руб.
    МосЧипON SemiconductorNGTB25N120IHLWGпо запросу
    Все 10 предложений от 8 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс