Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet BC856S - NXP Даташит Транзистор, PNP/PNP, 65 В, SOT363 — Даташит

NXP BC856S

Наименование модели: BC856S

76 предложений от 35 поставщиков
Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 100 мА, 200 мВт, SOT-323, Surface Mount
ЗУМ-СМД
Россия
BC856B
0.05 ₽
Utmel
Весь мир
BC856C
от 0.20 ₽
BC856W,115
Nexperia
от 3.64 ₽
МосЧип
Россия
BC856B-TP
MCC
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, PNP/PNP, 65 В, SOT363

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BC856S
65 V, 100 mA PNP/PNP general-purpose transistor
Rev.

02 -- 19 February 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -65 В
  • DC Collector Current: -100 мА
  • DC Current Gain: 110
  • Transition Frequency Typ ft: 100 МГц
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 6
  • Корпус транзистора: SOT-363
  • Полярность транзистора: PNP / PNP
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 220 мВт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet BC856S - NXP TRANSISTOR, PNP/PNP, 65 V, SOT363

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России