Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet VS-GB75DA120UP - Vishay Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 75 А, SOT-227

Vishay VS-GB75DA120UP

Наименование модели: VS-GB75DA120UP

Производитель: Vishay

Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 75 А, SOT-227

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GB75DA120UP
Vishay Semiconductors
Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast IGBT), 75 A
FEATURES
· NPT Generation V IGBT technology · Square RBSOA · HEXFRED® low Qrr, low switching energy · Positive VCE(on) temperature coefficient · Fully isolated package

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
  • Collector Emitter Voltage Vces: 3.3 В
  • DC Collector Current: 131 А
  • Количество выводов: 4
  • Корпус транзистора: SOT-227
  • Полярность транзистора: NPN
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 658 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet VS-GB75DA120UP - Vishay IGBT MODULE, 1200 V, 75 A, SOT-227

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс