Datasheet VS-GB75DA120UP - Vishay Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 75 А, SOT-227 — Даташит

Vishay VS-GB75DA120UP

Наименование модели: VS-GB75DA120UP

Купить VS-GB75DA120UP на РадиоЛоцман.Цены — от 4 561 до 4 660 ₽ IGBT Module NPT Single 1200 V 658 W Chassis Mount SOT-227
AiPCBA Весь мир	VS-GB75DA120UP Vishay	4 561 ₽
ChipWorker Весь мир	VS-GB75DA120UP Vishay	4 660 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	VS-GB75DA120UP Vishay	по запросу
Flash-Turtle Весь мир	VS-GB75DA120UP	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 75 А, SOT-227

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GB75DA120UP
Vishay Semiconductors
Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast IGBT), 75 A
FEATURES
· NPT Generation V IGBT technology · Square RBSOA · HEXFRED® low Qrr, low switching energy · Positive VCE(on) temperature coefficient · Fully isolated package

Спецификации:

Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
Collector Emitter Voltage Vces: 3.3 В
DC Collector Current: 131 А
Количество выводов: 4
Корпус транзистора: SOT-227
Полярность транзистора: NPN
Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
Рассеиваемая мощность: 658 Вт
RoHS: да

Варианты написания:

VSGB75DA120UP, VS GB75DA120UP