Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet NTSB20120CT-1G - ON Semiconductor Даташит Диод, Шоттки, сдвоенный, 20 А, 120 В, I2PAK

ON Semiconductor NTSB20120CT-1G

Наименование модели: NTSB20120CT-1G

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Диод, Шоттки, сдвоенный, 20 А, 120 В, I2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTST20120CT, NTSJ20120CTG, NTSB20120CT-1G, NTSB20120CTG, NTSB20120CTT4G Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier
Exceptionally Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
Features http://onsemi.com
VERY LOW FORWARD VOLTAGE, LOW LEAKAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 20 AMPERES, 120 VOLTS
PIN CONNECTIONS

Спецификации:

  • Diode Configuration: Dual Common Cathode
  • Diode Type: Schottky
  • Forward Current If(AV): 20 А
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 120 А
  • Forward Voltage VF Max: 1.1 В
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 120 В
  • Количество выводов: 3
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ... +125°C
  • Тип корпуса: TO-262
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet NTSB20120CT-1G - ON Semiconductor DIODE, SCHOTTKY, DUAL, 20 A, 120 V, I2PAK

    DIODE SCHOTTKY 120V 10A I2PAK
    Цены на NTSB20120CT-1G
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанON Semiconductor19,90 руб.
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургON Semiconductorпо запросу
    КремнийON Semiconductorпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс