Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet NTE451 - NTE Electronics Даташит JFET, -25 В, 20 мА, TO-92-3

Наименование модели: NTE451

Производитель: NTE Electronics

Описание: JFET, -25 В, 20 мА, TO-92-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE451 Silicon N­Channel JFET Transistor VHF/UHF Amplifier
Absolute Maximum Ratings: Drain­Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Reverse Gate­Source Voltage, VGSR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Drain Current, ID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350mW Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.8mW/°C Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ­65° to +150°C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

  • Breakdown Voltage Vbr: -25 В
  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -4 В
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 4 мА ... 20 мА
  • Рассеиваемая мощность: 350 мВт
  • Тип транзистора: JFET

На английском языке: Datasheet NTE451 - NTE Electronics JFET, -25 V, 20 mA, TO-92-3

    Silicon N-Channel JFET Transistor VHF/UHF Amplifier
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанNTE Electronics134 руб.
    Кремнийпо запросу
    LifeElectronicsNTE Electronicsпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс