Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SDB10S120 - SemiSouth Даташит Диод, SIC, 1200 В, 10 А, TO-252

Наименование модели: SDB10S120

Производитель: SemiSouth

Описание: Диод, SIC, 1200 В, 10 А, TO-252

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Silicon Carbide
SDB10S120
Silicon Carbide Power Schottky Diode
Features: - Positive Temperature Coefficient for Ease of Paralleling - Temperature Independent Switching Behavior - 175 °C Maximum Operating Temperature - Zero Reverse Recovery Current - Zero Forward Recovery Voltage
Product Summary

Спецификации:

  • Diode Configuration: Single
  • Diode Type: SiC Schottky
  • Forward Current If(AV): 10 А
  • Forward Surge Current Ifsm Max: 250 А
  • Forward Voltage VF Max: 1.8 В
  • Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1.2 кВ
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Тип корпуса: TO-252
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet SDB10S120 - SemiSouth DIODE, SIC, 1200 V, 10 A, TO-252

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс