Datasheet SDB10S120 - SemiSouth Даташит Диод, SIC, 1200 В, 10 А, TO-252 — Даташит

Подробное описание

Производитель: SemiSouth

Описание: Диод, SIC, 1200 В, 10 А, TO-252

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Silicon Carbide
SDB10S120
Silicon Carbide Power Schottky Diode
Features: - Positive Temperature Coefficient for Ease of Paralleling - Temperature Independent Switching Behavior - 175 °C Maximum Operating Temperature - Zero Reverse Recovery Current - Zero Forward Recovery Voltage
Product Summary

Спецификации:

• Diode Configuration: Single
• Diode Type: SiC Schottky
• Forward Current If(AV): 10 А
• Forward Surge Current Ifsm Max: 250 А
• Forward Voltage VF Max: 1.8 В
• Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1.2 кВ
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Тип корпуса: TO-252
• RoHS: да