Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet NID9N05ACLT4G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N-CH, 52 В, 9 А, DPAK

ON Semiconductor NID9N05ACLT4G

Наименование модели: NID9N05ACLT4G

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 52 В, 9 А, DPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NID9N05CL, NID9N05ACL Power MOSFET
9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package
http://onsemi.com Benefits
· High Energy Capability for Inductive Loads · Low Switching Noise Generation
Features

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 55 В
  • On Resistance Rds(on): 0.09 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 12 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.75 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 1.74 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet NID9N05ACLT4G - ON Semiconductor MOSFET, N-CH, 52 V, 9 A, DPAK

    MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3
    Цены на NID9N05ACLT4G
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанON Semiconductor42,70 руб.
    ЭлектроПластON Semiconductorпо запросу
    КремнийON Semiconductorпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс