Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PMZB290UNE - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 20 В, 1 А, SOT883B

NXP PMZB290UNE

Наименование модели: PMZB290UNE

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 20 В, 1 А, SOT883B

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMZB290UNE
83B
20 V, single N-channel Trench MOSFET
Rev. 3 -- 23 March 2012 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 1 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.29 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 750 мВ
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: SOT-883
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 715 мВт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PMZB290UNE - NXP MOSFET, N-CH, 20 V, 1 A, SOT883B

    MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
    Цены на PMZB290UNE
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPMZB290UNE,3154,60 руб.
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургNXPPMZB290UNE,315по запросу
    КремнийNXPPMZB290UNE315по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс