Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PMZB670UPE - NXP Даташит Полевой транзистор, P-CH, 20 В, SOT883B

NXP PMZB670UPE

Наименование модели: PMZB670UPE

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 20 В, SOT883B

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMZB670UPE
83B
20 V, single P-channel Trench MOSFET
Rev. 3 -- 23 March 2012 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -680 мА
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.67 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -900 мВ
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: SOT-883
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 360 мВт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PMZB670UPE - NXP MOSFET, P-CH, 20 V, SOT883B

    MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
    Цены на PMZB670UPE
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPMZB670UPE3156,30 руб.
    КремнийNXPPMZB670UPE315по запросу
    TradeElectronicsNXPPMZB670UPE,315по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс