Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PSMN013-100BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 68 А, D2PAK

NXP PSMN013-100BS

Наименование модели: PSMN013-100BS

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 68 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN013-100BS
N-channel 100V 13.9 m standard level MOSFET in D2PAK
Rev. 3 -- 1 March 2012 Product data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 68 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0108 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 170 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PSMN013-100BS - NXP MOSFET, N CH, 100 V, 68 A, D2PAK

    МОП-транзистор Std N-chanМОП-транзистор
    Цены на PSMN013-100BS
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPSMN013-100BS54,40 руб.
    КремнийNXPPSMN013-100BS118по запросу
    ТаймЧипсNXPPSMN013-100BS,118по запросу
    Океан ЭлектроникиNXPPSMN013-100BSпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс