Datasheet PSMN013-100BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 68 А, D2PAK — Даташит

Купить PSMN013-100BS на РадиоЛоцман.Цены — от 44 до 312 ₽ 24 предложений от 14 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 100V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
T-electron Россия и страны СНГ	PSMN013-100BS.118 Nexperia	44 ₽	Купить
Akcel Весь мир	PSMN013-100BS Nexperia	от 53 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	PSMN013-100BS NXP	по запросу	Купить
Acme Chip Весь мир	PSMN013-100BS Nexperia	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 68 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN013-100BS
N-channel 100V 13.9 m standard level MOSFET in D2PAK
Rev.

3 -- 1 March 2012 Product data sheet

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 68 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 0.0108 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 170 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

PSMN013100BS, PSMN013 100BS