Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PSMN016-100BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 57 А, D2PAK

NXP PSMN016-100BS

Наименование модели: PSMN016-100BS

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 57 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN016-100BS
N-channel 100V 16 m standard level MOSFET in D2PAK
Rev. 2 -- 1 March 2012 Product data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 57 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.013 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 148 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PSMN016-100BS - NXP MOSFET, N CH, 100 V, 57 A, D2PAK

    MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
    Цены на PSMN016-100BS
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанPSMN016-100BS,11844,80 руб.
    КремнийNXPPSMN016-100BS118по запросу
    МосЧипNXPPSMN016-100BS,118по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс