HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet PSMN016-100BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 57 А, D2PAK — Даташит

NXP PSMN016-100BS

Наименование модели: PSMN016-100BS

34 предложений от 15 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 57 А, 0.013 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
T-electron
Россия и страны СНГ
PSMN016-100BS.118
Nexperia
58 ₽
AliExpress
Весь мир
PSMN013-100BS PSMN015-60BS PSMN015-100B PSMN016-100BS PSMN017-30BL PSMN017-80BS PSMN022-30BL PSMN027-100BS PSMN030-150B
76 ₽
Utmel
Весь мир
PSMN016-100BS,118
Nexperia
от 299 ₽
Acme Chip
Весь мир
PSMN016-100BS
Nexperia
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 57 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN016-100BS
N-channel 100V 16 m standard level MOSFET in D2PAK
Rev.

2 -- 1 March 2012 Product data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 57 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.013 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 148 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

PSMN016100BS, PSMN016 100BS

На английском языке: Datasheet PSMN016-100BS - NXP MOSFET, N CH, 100 V, 57 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России