Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PSMN017-30EL - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 32 А, I2PAK

NXP PSMN017-30EL

Наименование модели: PSMN017-30EL

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 32 А, I2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
I2 P AK
PSMN017-30EL
N-channel 30 V 17 m logic level MOSFET in I2PAK
Rev. 2 -- 3 April 2012 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 32 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.017 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-262
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 47 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PSMN017-30EL - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 32 A, I2PAK

    MOSFET N-CH LL 30V I2PAK
    Цены на PSMN017-30EL
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPSMN017-30EL26,00 руб.
    TradeElectronicsNXPPSMN017-30EL,127по запросу
    КремнийNXPPSMN017-30EL127по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс