Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PSMN1R7-60BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, D2PAK

NXP PSMN1R7-60BS

Наименование модели: PSMN1R7-60BS

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN1R7-60BS
N-channel 60 V 2 m standard level MOSFET in D2PAK
Rev. 2 -- 29 February 2012 Product data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.00166 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 306 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PSMN1R7-60BS - NXP MOSFET, N-CH, 60 V, 120 A, D2PAK

    МОП-транзистор Std N-chanМОП-транзистор
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPSMN1R7-60BS,118132 руб.
    КремнийPSMN1R7-60BS,118по запросу
    Океан ЭлектроникиNXPPSMN1R7-60BSпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс