ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet PSMN1R7-60BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, D2PAK — Даташит

NXP PSMN1R7-60BS

Наименование модели: PSMN1R7-60BS

31 предложений от 15 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 120 А, 0.00166 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
T-electron
Россия и страны СНГ
PSMN1R7-60BS.118
Nexperia
100 ₽
ЧипСити
Россия
PSMN1R7-60BS
NXP
182 ₽
ЭИК
Россия
PSMN1R7-60BS,118
Nexperia
от 605 ₽
ТаймЧипс
Россия
PSMN1R7-60BS,118
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 120 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN1R7-60BS
N-channel 60 V 2 m standard level MOSFET in D2PAK
Rev.

2 -- 29 February 2012 Product data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.00166 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 306 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

PSMN1R760BS, PSMN1R7 60BS

На английском языке: Datasheet PSMN1R7-60BS - NXP MOSFET, N-CH, 60 V, 120 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России