HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet PSMN2R8-80BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 120 А, D2PAK — Даташит

NXP PSMN2R8-80BS

Наименование модели: PSMN2R8-80BS

30 предложений от 14 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 120 А, 0.00255 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
AliExpress
Весь мир
PSMN2R2-40BS PSMN2R7-30BL PSMN2R8-80BS PSMN2R8-40BS PSMN3R0-60BS PSMN3R3-80BS PSMN3R8-100BS PSMN4R3-30BL PSMN4R4-80BS
65 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
PSMN2R8-80BS.118
Nexperia
153 ₽
Utmel
Весь мир
PSMN2R8-80BS,118
Nexperia
от 283 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
PSMN2R8-80BS
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 120 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN2R8-80BS
N-channel 80 V, 3 m standard level FET in D2PAK
Rev.

2 -- 29 February 2012 Product data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 80 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0025 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 306 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

PSMN2R880BS, PSMN2R8 80BS

На английском языке: Datasheet PSMN2R8-80BS - NXP MOSFET, N-CH, 80 V, 120 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России