Datasheet PSMN2R8-80BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 120 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: PSMN2R8-80BS
Купить PSMN2R8-80BS на РадиоЛоцман.Цены — от 65 до 500 ₽ 30 предложений от 14 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 120 А, 0.00255 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | |||
PSMN2R2-40BS PSMN2R7-30BL PSMN2R8-80BS PSMN2R8-40BS PSMN3R0-60BS PSMN3R3-80BS PSMN3R8-100BS PSMN4R3-30BL PSMN4R4-80BS | 65 ₽ | ||
PSMN2R8-80BS.118 Nexperia | 153 ₽ | ||
PSMN2R8-80BS,118 Nexperia | от 283 ₽ | ||
PSMN2R8-80BS NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 120 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN2R8-80BS
N-channel 80 V, 3 m standard level FET in D2PAK
Rev.
2 -- 29 February 2012 Product data sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 80 В
- On Resistance Rds(on): 0.0025 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 306 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
PSMN2R880BS, PSMN2R8 80BS