Datasheet PSMN3R0-60BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: PSMN3R0-60BS
Купить PSMN3R0-60BS на РадиоЛоцман.Цены — от 65 до 431 ₽ 27 предложений от 13 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; Idm: 824А; 306Вт | |||
PSMN2R2-40BS PSMN2R7-30BL PSMN2R8-80BS PSMN2R8-40BS PSMN3R0-60BS PSMN3R3-80BS PSMN3R8-100BS PSMN4R3-30BL PSMN4R4-80BS | 65 ₽ | ||
PSMN3R0-60BS.118 Nexperia | 130 ₽ | ||
PSMN3R0-60BS NXP | 169 ₽ | ||
PSMN3R0-60BS Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN3R0-60BS
N-channel 60 V 3.2 m standard level MOSFET in D2PAK
Rev.
1 -- 22 March 2012 Product data sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 100 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 0.0032 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 306 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
PSMN3R060BS, PSMN3R0 60BS