Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet PSMN3R4-30BL - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, D2PAK — Даташит

NXP PSMN3R4-30BL

Наименование модели: PSMN3R4-30BL

18 предложений от 12 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET
ChipWorker
Весь мир
PSMN3R4-30BL118
NXP
59 ₽
AiPCBA
Весь мир
PSMN3R4-30BL118
NXP
61 ₽
Akcel
Весь мир
PSMN3R4-30BL,118
Nexperia
от 123 ₽
Acme Chip
Весь мир
PSMN3R4-30BL
Nexperia
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN3R4-30BL
N-channel 30 V 3.3 m logic level MOSFET in D2PAK
Rev.

1 -- 22 March 2012 Product data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 100 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.00279 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 114 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

PSMN3R430BL, PSMN3R4 30BL

На английском языке: Datasheet PSMN3R4-30BL - NXP MOSFET, N-CH, 30 V, 100 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России