ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet PSMN5R6-100BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 100 А, D2PAK — Даташит

NXP PSMN5R6-100BS

Наименование модели: PSMN5R6-100BS

27 предложений от 13 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; Idm: 539А; 306Вт
T-electron
Россия и страны СНГ
PSMN5R6-100BS.118
Nexperia
86 ₽
ЧипСити
Россия
PSMN5R6-100BS
NXP
137 ₽
ЭИК
Россия
PSMN5R6-100BS,118
Nexperia
от 302 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
PSMN5R6-100BS,118
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 100 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN5R6-100BS
N-channel 100 V 5.6 m standard level MOSFET in D2PAK
Rev.

1 -- 20 March 2012 Product data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 100 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.00472 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 306 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

PSMN5R6100BS, PSMN5R6 100BS

На английском языке: Datasheet PSMN5R6-100BS - NXP MOSFET, N-CH, 100 V, 100 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России