Datasheet PSMN5R6-100BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 100 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: PSMN5R6-100BS
Купить PSMN5R6-100BS на РадиоЛоцман.Цены — от 86 до 371 ₽ 27 предложений от 13 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; Idm: 539А; 306Вт | |||
PSMN5R6-100BS.118 Nexperia | 86 ₽ | ||
PSMN5R6-100BS NXP | 137 ₽ | ||
PSMN5R6-100BS,118 Nexperia | от 302 ₽ | ||
PSMN5R6-100BS,118 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 100 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN5R6-100BS
N-channel 100 V 5.6 m standard level MOSFET in D2PAK
Rev.
1 -- 20 March 2012 Product data sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 100 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.00472 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 306 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
PSMN5R6100BS, PSMN5R6 100BS