На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet PSMN7R0-100BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 100 А, D2PAK — Даташит

NXP PSMN7R0-100BS

Наименование модели: PSMN7R0-100BS

30 предложений от 12 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 100 А, 0.0054 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
T-electron
Россия и страны СНГ
PSMN7R0-100BS.118
Nexperia
73 ₽
ЧипСити
Россия
PSMN7R0-100BS,118
NXP
126 ₽
Utmel
Весь мир
PSMN7R0-100BS
NXP
от 1 185 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
PSMN7R0-100BS118
NXP
по запросу

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 100 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN7R0-100BS
N-channel 100V 6.8 m standard level MOSFET in D2PAK.
Rev.

2 -- 2 March 2012 Objective data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 100 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0054 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 269 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

PSMN7R0100BS, PSMN7R0 100BS

На английском языке: Datasheet PSMN7R0-100BS - NXP MOSFET, N CH, 100 V, 100 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России