Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PSMN8R7-80BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 80 В, 90 А, D2PAK

NXP PSMN8R7-80BS

Наименование модели: PSMN8R7-80BS

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 В, 90 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN8R7-80BS
N-channel 80 V 8.7 m standard level MOSFET in D2PAK
Rev. 2 -- 2 March 2012 Product data sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 90 А
  • Drain Source Voltage Vds: 80 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0075 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 170 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PSMN8R7-80BS - NXP MOSFET, N CH, 80 V, 90 A, D2PAK

    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанNXP49,20 руб.
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс