HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SIRA00DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, 30 В, 60 А, PPAKSO-8 — Даташит

Vishay SIRA00DP-T1-GE3

Наименование модели: SIRA00DP-T1-GE3

24 предложений от 13 поставщиков
N-Channel 30 V 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
SIRA00DP-T1-GE3
Vishay
42 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SiRA00DP-T1-GE3
Vishay
58 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
SIRA00DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
SIRA00DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, 30 В, 60 А, PPAKSO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiRA00DP
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 60 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 830µ Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: PowerPAK SO
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 104 Вт
  • RoHS: да

Варианты написания:

SIRA00DPT1GE3, SIRA00DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIRA00DP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, 30 V, 60 A, PPAKSO-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России