Datasheet SIRA00DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, 30 В, 60 А, PPAKSO-8 — Даташит
Наименование модели: SIRA00DP-T1-GE3
Купить SIRA00DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 42 до 263 ₽ 24 предложений от 13 поставщиков N-Channel 30 V 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | |||
SIRA00DP-T1-GE3 Vishay | 42 ₽ | ||
SiRA00DP-T1-GE3 Vishay | 58 ₽ | ||
SIRA00DP-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SIRA00DP-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, 30 В, 60 А, PPAKSO-8
Краткое содержание документа:
New Product
SiRA00DP
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 60 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 830µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: PowerPAK SO
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 104 Вт
- RoHS: да
Варианты написания:
SIRA00DPT1GE3, SIRA00DP T1 GE3