Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SISA04DN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, 30 В, 40 А, PPAK1212-8

Vishay SISA04DN-T1-GE3

Наименование модели: SISA04DN-T1-GE3

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, 30 В, 40 А, PPAK1212-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiSA04DN
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 40 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0018 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: PowerPAK 1212
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 52 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet SISA04DN-T1-GE3 - Vishay MOSFET, 30 V, 40 A, PPAK1212-8

    SISA04DN-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 38,20 до 130,00 руб.
    MOSFET, 30V, 40A, PPAK1212-8
    Цены на SISA04DN-T1-GE3
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанVishay38,20 руб.
    ТерраэлектроникаVishayот 51,50 руб.
    КимVishay130,00 руб.
    ДКО ЭлектронщикVishayпо запросу
    TradeElectronicsVishayпо запросу
    Все 7 предложений от 5 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс