Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STB11N52K3 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 525 В, 10 А, D2PAK

STMicroelectronics STB11N52K3

Наименование модели: STB11N52K3

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 525 В, 10 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB11N52K3, STF11N52K3 STP11N52K3
N-channel 525 V, 0.41 10 A SuperMESH3TM Power MOSFET , in DІPAK,TO-220FP and TO-220 packages
Datasheet -- production data
Features
TAB

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 10 А
  • Drain Source Voltage Vds: 525 В
  • On Resistance Rds(on): 0.41 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 125 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STB11N52K3 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 525 V, 10 A, D2PAK

    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics36,80 руб.
    ДКО ЭлектронщикSTMicroelectronicsпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс