Datasheet STB120N4LF6 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 80 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: STB120N4LF6
Купить STB120N4LF6 на РадиоЛоцман.Цены — от 26 до 299 ₽ 24 предложений от 14 поставщиков N-channel 40 V, 3.1 mOhm, 80 A, D2PAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM | |||
STB120N4LF6 STMicroelectronics | 26 ₽ | ||
STB120N4LF6 STMicroelectronics | 62 ₽ | ||
STB120N4LF6 STMicroelectronics | от 274 ₽ | ||
STB120N4LF6 STMicroelectronics | 294 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 80 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
STB120N4LF6 STD120N4LF6
N-channel 40 V, 3.1 m 80 A DPAK, DІPAK , STripFETTM VI DeepGATETM Power MOSFET
Features
Order codes STB120N4LF6 STD120N4LF6
VDSS 40 V 40 V
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 80 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 3100µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Рассеиваемая мощность: 110 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)