Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STB120N4LF6 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 80 А, D2PAK

STMicroelectronics STB120N4LF6

Наименование модели: STB120N4LF6

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 80 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB120N4LF6 STD120N4LF6
N-channel 40 V, 3.1 m 80 A DPAK, DІPAK , STripFETTM VI DeepGATETM Power MOSFET
Features
Order codes STB120N4LF6 STD120N4LF6
VDSS 40 V 40 V

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 80 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 3100µ Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 110 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STB120N4LF6 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 40 V, 80 A, D2PAK

    STB120N4LF6 на РадиоЛоцман.Цены — от 38,10 до 58,89 руб.
    MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics38,10 руб.
    КонтестSTMicroelectronics58,89 руб.
    ДКО ЭлектронщикSTMicroelectronicsпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс