Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STB13NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 11 А, D2PAK

STMicroelectronics STB13NM60N

Наименование модели: STB13NM60N

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 11 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STx13NM60N
N-channel 600 V, 0.28 11 A MDmeshTM II Power MOSFET , in DІPAK, DPAK, TO-220FP, IІPAK, TO-220, IPAK, TO-247
Features
TAB
TAB 3 1

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 11 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.28 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 90 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STB13NM60N - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 11 A, D2PAK

    STB13NM60N на РадиоЛоцман.Цены — от 52,20 до 375,83 руб.
    Исполнение: D2PAK. MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Тип: N; Uси: 650 В; Iс(25°C): 11 А; Rси(вкл): 0.28 Ом; @Uзатв(ном): 10 В;...
    Цены на STB13NM60N
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанSTMicroelectronicsSTB13NM60N52,20 руб.
    ICdaromSTMicroelectronicsSTB13NM60Nот 56,87 руб.
    ДКО ЭлектронщикSTMicroelectronicsSTB13NM60Nот 64,50 руб.
    КимSTMicroelectronicsSTB13NM60N129,00 руб.
    ДессиSTMicroelectronicsMOSFET транзистор STB13NM60N375,83 руб.
    Все 16 предложений от 10 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс