Datasheet STB13NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 11 А, D2PAK — Даташит

Купить STB13NM60N на РадиоЛоцман.Цены — от 37 до 684 ₽ 30 предложений от 16 поставщиков MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Тип: N; Uси: 650 В; Iс(25°C): 11 А; Rси(вкл): 0.28 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 25...
Стандарт СИЗ Россия	STB13NM60N STMicroelectronics	37 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	STB13NM60N STMicroelectronics	84 ₽	Купить
Десси Россия	MOSFET транзистор STB13NM60N STMicroelectronics	252 ₽	Купить
Элитан Россия	STB13NM60N STMicroelectronics	262 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 11 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STx13NM60N
N-channel 600 V, 0.28 11 A MDmeshTM II Power MOSFET , in DІPAK, DPAK, TO-220FP, IІPAK, TO-220, IPAK, TO-247
Features
TAB
TAB 3 1

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 11 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On Resistance Rds(on): 0.28 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рассеиваемая мощность: 90 Вт
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)