Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STB15NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 14 А, D2PAK

STMicroelectronics STB15NM60ND

Наименование модели: STB15NM60ND

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 14 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB15NM60ND - STF/I15NM60ND STP15NM60ND - STW15NM60ND
N-channel 600 V - 0.27 - 14 A - FDmeshTM II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247
Features
Type STB15NM60ND STF15NM60ND STI15NM60ND STP15NM60ND STW15NM60ND VDSS (@Tjmax) RDS(on) max ID 14 A 14 A 14 A(1) 14 A 14 A
3 1

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 14 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.27 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 125 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STB15NM60ND - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 14 A, D2PAK

    MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
    Цены на STB15NM60ND
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics132 руб.
    Кремнийпо запросу
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургSTMicroelectronicsпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс