Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STB16N65M5 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 650 В, 12 А, D2PAK

STMicroelectronics STB16N65M5

Наименование модели: STB16N65M5

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 650 В, 12 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB16N65M5 STD16N65M5
N-channel 650 V, 0.230 12 A MDmeshTM V Power MOSFET , in DІPAK, DPAK
Features
Type STB16N65M5 STD16N65M5
VDSS @ TJmax 710 V

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 12 А
  • Drain Source Voltage Vds: 650 В
  • On Resistance Rds(on): 0.23 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 90 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STB16N65M5 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 650 V, 12 A, D2PAK

    MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Тип: N; Uси: 650 В; Iс(25°C): 12 А; Rси(вкл): 0.23...0.279 Ом; @Uзатв(ном): 5...8 В; Uзатв(макс): 25...
    Цены на STB16N65M5
    ПоставщикПроизводительЦена
    ТерраэлектроникаSTMicroelectronicsот 112 руб.
    ЭлитанSTMicroelectronics125 руб.
    КонтестSTMicroelectronics143 руб.
    КимSTMicroelectronics188 руб.
    ЭлектроПластSTMicroelectronicsпо запросу
    Все 8 предложений от 6 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс