Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STB185N55F3 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 120 А, D2PAK

STMicroelectronics STB185N55F3

Наименование модели: STB185N55F3

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 120 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB185N55F3 STP185N55F3
N-channel 55V - 3.2m - 120A - D2PAK/TO-220 STripFETTM Power MOSFET
Features
Type STB185N55F3 STP185N55F3 VDSS 55V 55V RDS(on) 3.5m 3.8m ID 120A
(1) (1)

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 55 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0029 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 330 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STB185N55F3 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 55 V, 120 A, D2PAK

    N-channel 55v - 3.2m? - 120a - d2pak stripfetв„ў power mosfet
    Цены на STB185N55F3
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics122 руб.
    КонтестSTMicroelectronics187 руб.
    LifeElectronicsSTMicroelectronicsпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс