Datasheet STB18NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 13 А, D2PAK — Даташит

STMicroelectronics STB18NM60N

Наименование модели: STB18NM60N

Купить STB18NM60N на РадиоЛоцман.Цены — от 28 до 521 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков N-channel 600 V, 0.27 Ohm, 13 A MDmesh(TM) II
Стандарт СИЗ Россия	STB18NM60N STMicroelectronics	28 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	STB18NM60N STMicroelectronics	92 ₽
Acme Chip Весь мир	STB18NM60N STMicroelectronics	по запросу
ТаймЧипс Россия	STB18NM60N STMicroelectronics	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 13 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB18NM60N, STF18NM60N, STI18NM60N STP18NM60N, STW18NM60N
N-channel 600 V, 0.27 13 A MDmeshTM II Power MOSFET , in TO-220, TO-220FP, TO-247, DІPAK and IІPAK
Features
Order codes STB18NM60N STF18NM60N STI18NM60N STP18NM60N STW18NM60N
VDSS (@Tjmax)

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: 13 А
Drain Source Voltage Vds: 600 В
On Resistance Rds(on): 0.26 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 3
Корпус транзистора: TO-263
Полярность транзистора: N Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Рассеиваемая мощность: 110 Вт
RoHS: да
SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)