Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STB18NM80 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 800 В, 17 А, D2PAK

STMicroelectronics STB18NM80

Наименование модели: STB18NM80

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 800 В, 17 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB18NM80, STF18NM80, STP18NM80, STW18NM80
N-channel 800 V, 0.25 17 A, MDmeshTM Power MOSFET , in DІPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages
Datasheet -- production data
Features
Order codes STB18NM80 STF18NM80 STP18NM80 STW18NM80 VDSS 800 V 800 V 800 V 800 V RDS(on) max < 0.295 < 0.295 < 0.295 < 0.295 ID

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 17 А
  • Drain Source Voltage Vds: 800 В
  • On Resistance Rds(on): 0.25 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 190 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STB18NM80 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 800 V, 17 A, D2PAK

    MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2], Тип: N, Uси: 800 В, Iс(25°C): 17 А, Rси(вкл): 0.295 Ом, @Uзатв(ном): 10 В, Pрасс: 190...
    Цены на STB18NM80
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics145 руб.
    КонтестSTMicroelectronics290 руб.
    ТерраэлектроникаSTMicroelectronicsот 392 руб.
    ДКО ЭлектронщикSTMicroelectronicsпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Все 8 предложений от 6 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс