Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STB23NM50N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 500 В, 17 А, D2PAK

STMicroelectronics STB23NM50N

Наименование модели: STB23NM50N

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 500 В, 17 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB23NM50N, STF23NM50N STP23NM50N, STW23NM50N
N-channel 500 V, 0.162 17 A TO-220, TO-220FP, TO-247, DІPAK , MDmeshTM II Power MOSFET
Features
Order codes STB23NM50N STF23NM50N STP23NM50N STW23NM50N
VDSS (@Tjmax)

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 17 А
  • Drain Source Voltage Vds: 500 В
  • On Resistance Rds(on): 0.162 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 125 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STB23NM50N - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 500 V, 17 A, D2PAK

    STB23NM50N на РадиоЛоцман.Цены — от 73,70 до 220,68 руб.
    Исполнение: D2PAK. MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 17 А; Rси(вкл): 0...0.19 Ом; @Uзатв(ном): 4...7 В;...
    Цены на STB23NM50N
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанSTMicroelectronicsSTB23NM50N73,70 руб.
    ICdaromSTMicroelectronicsSTB23NM50Nот 97,37 руб.
    ТерраэлектроникаSTMicroelectronicsSTB23NM50Nот 110,50 руб.
    ДессиSTMicroelectronicsMOSFET транзистор STB23NM50N220,68 руб.
    Океан ЭлектроникиSTMicroelectronicsSTB23NM50Nпо запросу
    Все 13 предложений от 9 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс