LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet STB23NM50N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 500 В, 17 А, D2PAK — Даташит

STMicroelectronics STB23NM50N

Наименование модели: STB23NM50N

40 предложений от 19 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 17 А, 0.162 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
STB23NM50N
STMicroelectronics
47 ₽
AliExpress
Весь мир
STB21NK50Z STB21NM50N STB21NM60N STB22NS25Z STB22NE10L STB22NM60N STB230NH03L STB23N80K5 STB23NM50N STB23NM60N STB24N60M2
65 ₽
Триема
Россия
STB23NM50N
STMicroelectronics
331 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
STB23NM50N
STMicroelectronics
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 500 В, 17 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB23NM50N, STF23NM50N STP23NM50N, STW23NM50N
N-channel 500 V, 0.162 17 A TO-220, TO-220FP, TO-247, DІPAK , MDmeshTM II Power MOSFET
Features
Order codes STB23NM50N STF23NM50N STP23NM50N STW23NM50N
VDSS (@Tjmax)

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 17 А
  • Drain Source Voltage Vds: 500 В
  • On Resistance Rds(on): 0.162 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 125 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STB23NM50N - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 500 V, 17 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России