Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STB24NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 17 А, D2PAK

STMicroelectronics STB24NM60N

Наименование модели: STB24NM60N

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 17 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB24NM60N
N-channel 600 V, 0.168 17 A MDmeshTM II Power MOSFET , DІPAK
Features
Order codes STB24NM60N
VDSS (@Tjmax) 650 V

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 17 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.168 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 125 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STB24NM60N - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 17 A, D2PAK

    MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
    Цены на STB24NM60N
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics84,20 руб.
    ДКО ЭлектронщикSTMicroelectronicsпо запросу
    ЭлектроПластSTMicroelectronicsпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс