Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STB32N65M5 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 650 В, 24 А, D2PAK

STMicroelectronics STB32N65M5

Наименование модели: STB32N65M5

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 650 В, 24 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB32N65M5, STF32N65M5, STI32N65M5 STP32N65M5, STW32N65M5
N-channel 650 V, 0.095 24 A, MDmeshTM V Power MOSFET , in DІPAK, IІPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247
Features
Order codes STB32N65M5 STF32N65M5 STI32N65M5 STP32N65M5 STW32N65M5 VDSS@ TJmax 710 V 710 V 710 V 710 V 710 V RDS(on) max < 0.119 < 0.119 < 0.119 < 0.119 < 0.119 ID
1 3

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 24 А
  • Drain Source Voltage Vds: 650 В
  • On Resistance Rds(on): 0.095 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 150 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STB32N65M5 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 650 V, 24 A, D2PAK

    Исполнение: D2PAK. MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Тип: N; Uси: 650 В; Iс(25°C): 24 А; Rси(вкл): 0.119 Ом; @Uзатв(ном): 10 В;...
    Цены на STB32N65M5
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанSTMicroelectronicsSTB32N65M5118 руб.
    КонтестSTMicroelectronicsSTB32N65M5152 руб.
    ДессиSTMicroelectronicsMOSFET транзистор STB32N65M5743 руб.
    Океан ЭлектроникиSTMicroelectronicsSTB32N65M5по запросу
    КремнийSTMicroelectronicsSTB32N65M5по запросу
    Все 16 предложений от 10 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс