Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STB34NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 29 А, D2PAK

STMicroelectronics STB34NM60N

Наименование модели: STB34NM60N

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 29 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB34NM60N, STF34NM60N, STP34NM60N, STW34NM60N
N-channel 600 V, 0.092 29 A MDmeshTM II Power MOSFET , in DІPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packages
Datasheet -- production data
Features
TAB

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 29 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.092 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 210 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STB34NM60N - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 29 A, D2PAK

    MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
    Цены на STB34NM60N
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics173 руб.
    ДКО ЭлектронщикSTMicroelectronicsпо запросу
    ЭлектроПластSTMicroelectronicsпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс