Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STD12N65M5 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 650 В, 8.5 А, DPAK

STMicroelectronics STD12N65M5

Наименование модели: STD12N65M5

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 650 В, 8.5 А, DPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD12N65M5, STF12N65M5, STI12N65M5 STP12N65M5, STU12N65M5
N-channel 650 V, 0.39 , 8.5 A MDmeshTM V Power MOSFET DPAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, IPAK
Features
Type STD12N65M5 STF12N65M5 STI12N65M5 STP12N65M5 STU12N65M5 VDSS @ TJmax RDS(on) max ID PTOT
2 3 1

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 8.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 650 В
  • On Resistance Rds(on): 0.39 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 70 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STD12N65M5 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 650 V, 8.5 A, DPAK

    Исполнение: DPAK. MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 650 В; Iс(25°C): 8.5 А; Rси(вкл): 0.41 Ом; @Uзатв(ном): 10 В;...
    Цены на STD12N65M5
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics122 руб.
    ТерраэлектроникаSTMicroelectronicsот 146 руб.
    КимSTMicroelectronics293 руб.
    ЭлектроПластSTMicroelectronicsпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Все 9 предложений от 7 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс