Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STD155N3H6 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 80 А, DPAK

STMicroelectronics STD155N3H6

Наименование модели: STD155N3H6

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 80 А, DPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB155N3H6 STD155N3H6
N-channel 30 V, 2.5 m , 80 A, DІPAK, DPAK STripFETTM VI DeepGATETM Power MOSFET
Features
Order codes STB155N3H6 STD155N3H6 VDSS 30 V 30 V RDS(on) max < 3 m < 3 m ID 80 A (1) 80 A (1)
3 1

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 80 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0025 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 110 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STD155N3H6 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 30 V, 80 A, DPAK

    MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
    Цены на STD155N3H6
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics90,30 руб.
    ДКО ЭлектронщикSTMicroelectronicsпо запросу
    МосЧипSTMicroelectronicsпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс