Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet STD4N62K3 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 620 В, 3.8 А, DPAK — Даташит

STMicroelectronics STD4N62K3

Наименование модели: STD4N62K3

38 предложений от 18 поставщиков
STMICROELECTRONICS STD4N62K3 Power MOSFET, N Channel, 3.8A, 620V, 1.7Ω, 10V, 3.75V
STD4N62K3
STMicroelectronics
8.80 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
STD4N62K3
STMicroelectronics
22 ₽
STD4N62K3
STMicroelectronics
от 45 ₽
ЭИК
Россия
STD4N62K3
STMicroelectronics
от 188 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 620 В, 3.8 А, DPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB4N62K3, STD4N62K3
N-channel 620 V, 1.7 3.8 A SuperMESH3TM Power MOSFET , in D2PAK and DPAK packages
Datasheet -- production data
Features
Order codes STB4N62K3 STD4N62K3

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 3.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 620 В
  • On Resistance Rds(on): 1.7 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
  • Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 70 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STD4N62K3 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 620 V, 3.8 A, DPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России