Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STH180N10F3-2 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 120 А, H2PAK

STMicroelectronics STH180N10F3-2

Наименование модели: STH180N10F3-2

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 120 А, H2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STH180N10F3-2
N-channel 100 V, 3.9 m 180 A, HІPAK-2 , STripFETTMIII Power MOSFET
Features
Order codes STH180N10F3-2
VDSS 100 V

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 180 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0039 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 4
  • Корпус транзистора: H2PAK-2
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 315 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STH180N10F3-2 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 100 V, 120 A, H2PAK

    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics185 руб.
    ДКО ЭлектронщикSTMicroelectronicsпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс