Datasheet STH180N10F3-2 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 120 А, H2PAK — Даташит
Наименование модели: STH180N10F3-2
Купить STH180N10F3-2 на РадиоЛоцман.Цены — от 160 до 884 ₽ 18 предложений от 9 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 180 А, 0.0039 Ом, H2PAK-2, Surface Mount | |||
STH180N10F3-2 STMicroelectronics | 160 ₽ | ||
STH180N10F3-2 STMicroelectronics | 280 ₽ | ||
STH180N10F3-2 STMicroelectronics | 406 ₽ | ||
STH180N10F3-2 STMicroelectronics | 410 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 120 А, H2PAK
Краткое содержание документа:
STH180N10F3-2
N-channel 100 V, 3.9 m 180 A, HІPAK-2 , STripFETTMIII Power MOSFET
Features
Order codes STH180N10F3-2
VDSS 100 V
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 180 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.0039 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 4
- Корпус транзистора: H2PAK-2
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Рассеиваемая мощность: 315 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
Варианты написания:
STH180N10F32, STH180N10F3 2