LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet STH180N10F3-2 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 120 А, H2PAK — Даташит

STMicroelectronics STH180N10F3-2

Наименование модели: STH180N10F3-2

18 предложений от 9 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 180 А, 0.0039 Ом, H2PAK-2, Surface Mount
T-electron
Россия и страны СНГ
STH180N10F3-2
STMicroelectronics
160 ₽
ЧипСити
Россия
STH180N10F3-2
STMicroelectronics
280 ₽
AiPCBA
Весь мир
STH180N10F3-2
STMicroelectronics
406 ₽
ChipWorker
Весь мир
STH180N10F3-2
STMicroelectronics
410 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 120 А, H2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STH180N10F3-2
N-channel 100 V, 3.9 m 180 A, HІPAK-2 , STripFETTMIII Power MOSFET
Features
Order codes STH180N10F3-2
VDSS 100 V

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 180 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0039 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 4
  • Корпус транзистора: H2PAK-2
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Рассеиваемая мощность: 315 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

Варианты написания:

STH180N10F32, STH180N10F3 2

На английском языке: Datasheet STH180N10F3-2 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 100 V, 120 A, H2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России