Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STH180N10F3-6 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 180 А, H2PAK

STMicroelectronics STH180N10F3-6

Наименование модели: STH180N10F3-6

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 180 А, H2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STH180N10F3-6
N-channel 100 V, 3.9 m 180 A, HІPAK-6 , STripFETTMIII Power MOSFET
Features
Order codes STH180N10F3-6
VDSS 100 V

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 180 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0039 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: H2PAK-6
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 315 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STH180N10F3-6 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 100 V, 180 A, H2PAK

    MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK
    Цены на STH180N10F3-6
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics218 руб.
    ДКО ЭлектронщикSTMicroelectronicsпо запросу
    КремнийSTMicroelectronicsпо запросу
    ЭлектроПластSTMicroelectronicsпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс