Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STH210N75F6-2 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 75 В, 180 А, H2PAK

STMicroelectronics STH210N75F6-2

Наименование модели: STH210N75F6-2

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 75 В, 180 А, H2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STH210N75F6-2
N-channel 75 V, 2.7 m typ., 180 A STripFETTM VI DeepGATETM Power MOSFET in HІPAK-2 package
Datasheet -- production data
Features
Order code STH210N75F6-2

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 180 А
  • Drain Source Voltage Vds: 75 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0022 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: H2PAK-2
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 300 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STH210N75F6-2 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 75 V, 180 A, H2PAK

    MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2
    Цены на STH210N75F6-2
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics330 руб.
    ДКО ЭлектронщикSTMicroelectronicsпо запросу
    Кремнийпо запросу
    МосЧипSTMicroelectronicsпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс