Datasheet STI12N65M5 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 650 В, 8.5 А, I2PAK — Даташит
Наименование модели: STI12N65M5
Купить STI12N65M5 на РадиоЛоцман.Цены — от 30 до 324 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков MOSFET N-канал 650В/8.5А/0.430 Ом MDMESH V | |||
STI12N65M5 STMicroelectronics | 30 ₽ | ||
STI12N65M5 STMicroelectronics | 63 ₽ | ||
STI12N65M5 STMicroelectronics | по запросу | ||
STI12N65M5 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 650 В, 8.5 А, I2PAK
Краткое содержание документа:
STD12N65M5, STF12N65M5, STI12N65M5 STP12N65M5, STU12N65M5
N-channel 650 V, 0.39 , 8.5 A MDmeshTM V Power MOSFET DPAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, IPAK
Features
Type STD12N65M5 STF12N65M5 STI12N65M5 STP12N65M5 STU12N65M5 VDSS @ TJmax RDS(on) max ID PTOT
2 3 1
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 8.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 0.39 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-262
- Полярность транзистора: N Channel
- Рассеиваемая мощность: 70 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)