Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet STI13NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 11 А, I2PAK

STMicroelectronics STI13NM60N

Наименование модели: STI13NM60N

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 11 А, I2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STx13NM60N
N-channel 600 V, 0.28 11 A MDmeshTM II Power MOSFET , in DІPAK, DPAK, TO-220FP, IІPAK, TO-220, IPAK, TO-247
Features
TAB
TAB 3 1

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 11 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.28 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-262
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 90 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STI13NM60N - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 11 A, I2PAK

    MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
    Цены на STI13NM60N
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics70,90 руб.
    ДКО ЭлектронщикSTMicroelectronicsпо запросу
    ТаймЧипсSTMicroelectronicsпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс